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[서울=DIP통신] 김정태 기자 = 삼성전자가 메모리 반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동에 들어갔다. 또 세계 반도체 업계에서처음으로 20나노급 D램 양산을 시작했다.

지난해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인면적(FAB: 반도체 제조공장) 약 6만평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다.

올해 2월 건물을 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤고 6월부터 시범 가동에 들어가 8월에 양산 체제를 갖췄다.

이달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산, 본격 양산을 시작했다.

삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.

또한 삼성전자는 세계 최초로 20나노급 2Gb D램의 양산을 이달부터 시작한다.

20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다.

삼성전자는 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GB·8GB·16GB·32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획이다.

삼성전자는 앞으로 엔터프라이즈 서버 시장을 시작으로 범용 노트북 시장까지 다양한 IT 시장에서 고객에게 가치를 제공하는 그린 메모리의 비중을 지속적으로 확대해 나갈 예정이다.

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