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(서울=NSP통신) 김태연 기자 = 삼성전자(005930)는 8월 28일 공시를 통해 중국 시안에 위치한 SCS (Samsung China Semiconductor) 법인에 향후 3년간 총 70억달러 규모의 낸드 플래시 메모리 증설 투자를 추진하고 경영위원회가 자본금 23억달러에 대한 출자를 승인했다고 발표했다.

올해 삼성전자의 낸드 플래시 부문은 공격적인 투자 전략이 지속되고 있다. 현재의 경쟁 구도를 볼 때 당연한 의사결정이라고 예상된다.

왜냐하면 낸드 분야 2위 업체인 도시바는 매각 작업을 진행 중이나 원활히 진행되고 있지 못해 차세대 기술을 적용한 제품 비중이 확대되지 못하고 있다. 이에 따라 SK하이닉스 역시 투자 의사결정이 지연될 수밖에 없는 상황이기 때문.

마이크론·인텔 진영이 추격하고 있으나 전반적으로 삼성전자 입장에서 2017~2018년은 경쟁사와의 격차를 확대시키면서 점유율을 확보할 수 있는 최적의 기회라 할 것이다.

삼성전자 평택 라인은 6월부터 가동이 시작돼 웨이퍼 생산능력(Capa)가 2017년 말 월 10만장에 이를 것으로 예상되며 2018년 말에는 월 20만장 이상으로 확대될 전망이다.

중국 시안 라인은 현재 월 12만장에 이르며 이번에 결정된 증설 투자로 2019년 말에는 월 17만장 이상으로 증가할 것이다.

삼성전자의 낸드 전체 생산능력(Capa)는 3분기 월 46만장에서 2018년 4분기 52만장으로 13% 확대될 것이며 지역별로는 2018년 평택, 2019년 시안 중심으로 확대될 것으로 예상된다.

올해 삼성전자의 낸드 투자 규모는 130억달러로 +189% YoY 증가할 것으로 보인다.

김동원 KB증권 애널리스트는 “삼성전자의 이번 낸드 시안 라인 투자 확대는 적절한 의사 결정이라고 판단하며 아직은 메모리 반도체 업황이 성수기 효과를 지속하고 있고 4분기 실적은 개선이 가능할 것“이라고 예상했다.

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NSP통신/NSP TV 김태연 기자, ang1130@nspna.com
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