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サムスンQLC第9世代V－NAND (Photo = サムスン電子)

(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = サムスン電子がAI時代の超大容量サーバーSSDのための1テラビット(Tb)クアッドレベルセル(QLC)9世代VNANDを量産した。

サムスンの第9世代V－NANDは、独歩的なチャンネルホールエッチング技術を活用し、ダブルスタック構造で業界最高段数を実現した。特に、今回のQLC第9世代V－NANDは、セルとペリー面積を最小化し、前世代QLCV－NAND対比ビット密度が約86%増加した。

今回の第9世代QLCは、セルの状態変化を予測し、不要な動作を最小化する予測プログラム技術革新を通じて、前世代QLC製品に比べ、書き込み性能は100%、データ入出力速度は60%改善した。

また、NANDセルを駆動する電圧を下げ、必要なBL（BitLine）だけをセンシングし、電力消耗を最小化した低電力設計技術を通じてデータ読み取り、書き込み消費電力もそれぞれ約30%、50%減少した。

サムスン電子はブランド製品を皮切りに、今後モバイルUFS、パソコンやサーバーSSDなど、QLC第9世代V－NAND基盤製品の応用先を徐々に拡大する計画だ。

By Min-jung Kim(alswjd5176@nspna.com) and Jeonghwa Choi(choijh@nspna.com)

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