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(사진 = サムスン電子)

(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = サムスン電子が業界最先端の12ナノ級工程で16Gb(ギガビット)DDR5Dラム量産を開始し、Dラム微細工程競争で技術競争力を確固たるものにした。

サムスン電子の12ナノ級Dラムは最先端技術を適用し、前世代製品対比生産性が約20%向上した。

また、前世代の製品より消費電力が約23%改善された。消費電力の改善によりデータセンター等を運営する上で、電力運営効率を高めることができる。

DDR5規格の12ナノ級Dラムは最高動作速度7.2Gbpsを支援する。

これは1秒に30GB容量のUHD映画2本を処理できる速度だ。サムスン電子は顧客の需要に合わせて12ナノ級Dラムラインナップを持続的に拡大し、データセンター・人工知能・次世代コンピューティングなど多様な応用先に供給する計画だ。

By Min-jung Kim(alswjd5176@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)

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