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SKハイニックスの1c DDR5 Dラム（写真＝SKハイニックス）

(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = SKハイニックスが、10ナノ台前半の極微細化されたメモリ製造技術を適用した6世代DRAMの量産を年内に開始する。

SKハイニックスは、世界で初めて10ナノ級6世代1c微細プロセスを適用した16Gb（ギガビット）DDR5 DRAMの開発に成功したと29日に発表した。

SKハイニックスは「10ナノ級DRAM技術が世代を重ねるごとに微細プロセスの難易度が極めて高くなっているが、当社は業界最高性能が証明された5世代（1b）技術力を基に設計の完成度を高め、最も早く技術的な限界を突破した」と述べ、「年内に1c DDR5の量産準備を終え、来年から製品を供給し、メモリ半導体市場の成長を牽引していく」と説明した。

SKハイニックスのキム・ジョンファン副社長（DRAM開発担当）は「最高の性能とコスト競争力を同時に満たす1c技術を、次世代HBM、LPDDR6、GDDR7などの最先端DRAM主力製品群に適用し、顧客に差別化された価値を提供していく」とし「今後も当社はDRAM市場のリーダーシップを守りつつ、顧客から最も信頼されるAIメモリソリューション企業としての地位を確固たるものにしていく」と述べた。

SKハイニックスは、1b DRAMのプラットフォームを拡張する形で1cを開発した。これにより、プロセスの高度化過程で発生しうる試行錯誤を減らすとともに、業界最高性能のDRAMとして認められているSKハイニックスの1bの強みを最も効率的に1cに移行することができたと技術陣は判断している。

また、EUV（極端紫外線）特定プロセスに新素材を開発・適用し、全体のプロセスにおけるEUV適用プロセスの最適化を通じてコスト競争力を確保した。設計技術の革新も併せて行い、前世代である1bに比べて生産性を30％以上向上させた。

高性能データセンターに主に利用される1c DDR5の動作速度は8Gbps（1秒間に8ギガビット）で、前世代に比べて11％速くなった。電力効率も9％以上改善された。AI時代が本格化し、データセンターの電力消費量が増加する中、クラウドサービスを運営するグローバル顧客がSKハイニックスの1c DRAMをデータセンターに適用すれば、電力コストを以前より最大30％削減できるとみたれる。

By Seulgi Kim(kimslgijoo@nspna.com) and Jeonghwa Choi(choijh@nspna.com)

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