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（写真＝サムスン電子）

(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = サムスン電子が1Tb(テラビット)TLC(Triple Level Cell)の第9世代V-NANDの量産を開始し、NANDフラッシュマーケットでのリーダーシップを強固にした。

サムスン電子は▲業界最小セル（Cell）▲最小モールド（Mold）の厚さを実現し、1TbTLC第9世代V-NANDのビット密度（BitDensity）を前の世代に比べ約1.5倍増加させた。

ダミー・チャンネル・ホール(Dummy Channel Hole)除去技術でセルの断面積を減らし、同時に干渉現象を制御するためのセル干渉回避技術、セル寿命延長技術を採用することで製品の品質を高めた。

サムスン電子の第9世代V-NANDは、ダブル・スタック(Double Stack)構造で具現できる最高段数製品で、チャンネル・ホール・エッチング(Channel Hole Etching)技術で、一気に業界最大段数を突破する工程革新に成功、生産性も向上した。

チャンネル・ホール・エッチングとは、モールド層を順次積層した後、一度に電子が移動するホール(チャンネル・ホール)を作る技術だ。特に、積層段数が高くなり一度に多く開けるほど生産効率も増加するため、精巧化·高度化が要求される。
第9世代V-NANDは、次世代NANDフラッシュ・インターフェースであるToggle5.1が採用され、第8世代VNANDに対し33%向上した最大3.2Gbpsのデータ入出力速度を実現できた。

サムスン電子はこれを基盤にPCIe5.0インターフェースを支援し、高性能SSD市場を拡大してNAND型フラッシュ技術におけるプレゼンスを強固にする方針だ。

さらに、第9世代V-NANDは低電力設計技術を搭載、前世代製品に比べ消費電力が約10%ほど改善された。

サムスン電子メモリー事業部Flash開発室長のホ·ソンフェ副社長は「NANDフラッシュ製品の世代が進化すればするほど、高容量·高性能製品に対する顧客のニーズが高まり、極限の技術革新を通じて生産性と製品競争力を高めた」とし「第9世代V-NANDでAI時代に必要な超高速、超高容量SSD市場を先取りしていく」と述べた。

サムスン電子はTLC第9世代V-NANDに続き、今年下半期にはQLC(Quad Level Cell)の第9世代V-NANDも量産し、AI時代に求められる高容量·高性能NANDフラッシュ開発に拍車をかける方針だ。

By Seulgi Kim(kimslgijoo@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)

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