サムスン電子、業界最先端の12ナノ級DRAM量産
(Seoul=NSP通信) minjung kim Journalist = SKハイニックスは、超高速DRAM「HBM2E」の本格的な量産に乗り出した。
「HBM2E」は1秒当たり3.6ギガビット(Gbps)のデータ処理が可能な製品で、1024の 入出力 (I/O)を通じて1秒で460ギガバイト(GB)のデータを処理できる。
FHD(Full−HD)級の映画(3.7GB)124本を1秒で送信できる、現存最も早いDRAMソリューションだ。 容量も8つの16ギガビット(Gb)DRAMチップをTSV(ThroughSiliconVia)技術で垂直連結し、前世代対比2倍以上増えた16GBを実現した。
超高速・高容量・省電力特性が特徴である「HBM2E」は、高度な演算力を必要とするディープラーニング加速器(Deep Learning Accelerator)、高性能コンピューティングなど、次世代人工知能(AI)システムに最適化されたメモリーソリューションとして注目されている。
このほか、気象変化、生物医学、宇宙探査など次世代の基礎科学と応用科学研究を主導するエクサスケール(Exascale)スーパーコンピューター(1秒当たり100京の演算が可能な高性能コンピューティングシステム)に活用されることが期待されている。
NSP通信 minjung kim Journalist alswjd5176@nspna.com
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