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三星QLC第九代V-NAND (Photo = 三星电子)

(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = 三星电子于12日宣布，率先量产了用于AI时代超大容量服务器SSD的1Tb四层单元(QLC)第九代V-NAND。

三星第九代V-NAND采用了独特的通道孔蚀刻技术，利用双堆叠结构实现了业内最高层数。

尤其值得注意的是，这次的QLC第九代V-NAND通过将单元(Cell)和外围电路(Peri)面积最小化，使得其比特密度相比上一代QLC V-NAND提高了约86%。

随着V-NAND堆叠层数的增加，保持各层及层间单元特性的一致性变得更加重要。为此，三星电子采用了设计模具技术。

设计模具技术通过调整控制单元的字线(WL)间距进行堆叠，以实现单元特性的均一化和优化。三星电子还通过这一技术使数据保存性能比前代产品提高了约20%，从而提升了产品的可靠性。

此次第九代QLC通过预测单元状态变化的创新程序技术，减少了不必要的操作，与前代QLC产品相比，写入性能提升了100%，数据读写速度提高了60%。

此外，通过降低驱动NAND单元的电压，并只感应所需的位线(BL)，实现了低功耗设计技术，使得数据读取和写入的功耗分别减少了约30%和50%。

三星电子存储事业部闪存开发室副总裁许成会表示：“在第九代TLC量产仅4个月后，第九代QLC V-NAND也成功实现了量产，这使我们具备了AI高性能、大容量SSD市场所需的最新产品线。随着AI相关需求的急剧增长，我们在企业级SSD市场的领导地位将更加突出。”

三星电子计划以品牌产品为起点，逐步扩大基于QLC第九代V-NAND的产品应用领域，包括移动UFS、PC和服务器SSD等。

By Bo kyung Kim(bkkim619@nspna.com) and Jeonghwa Choi(choijh@nspna.com)

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