(Seoul=NSPагентство новостей) INNA CHECHELNYT Journalist = Компания SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти DRAM 'HBM2E'.
HBM2E - это продукт, обладающий 1024-разрядной шиной (I/O), каждая линия которой способна обрабатывать данные со скоростью 3,6 гигабит в секунду (Гбит/с), что обеспечивает обработку 460 гигабайт (ГБ) данных в секунду.
HBM2E - это в настоящий момент самое быстрое решение DRAM, способное обеспечить передачу 124 фильмов (3,7 ГБ) FHD (Full-HD) качества за одну секунду. Восемь 16-гигабитных (Gb) DRAM-чипов были вертикально соединены с использованием технологии TSV (Through Silicon Via) для реализации объема в 16 ГБ, что более чем вдвое превышает предыдущее поколение.
HBM2E с высокоскоростными, высокопроизводительными характеристиками и низким энергопотреблением привлекает к себе внимание как решение проблем памяти, оптимизированное для систем искусственного интеллекта (AI) следующего поколения, таких как ускорители глубокого обучения (Deep Learning Accelerator) и высокопроизводительные вычисления, требующие высокой вычислительной мощности.
Кроме того, ожидается, что она будет применена в суперкомпьютере Exascale (высокопроизводительная вычислительная система, способная выполнять 100 вычислений в секунду), который будет проводить исследования в области фундаментальных и прикладных наук, таких как изменение погоды, биомедицина, исследование космоса и т.д..
NSPагентство новостей INNA CHECHELNYT Journalist inna4ka@nspna.com
Copyrightⓒэкономические новости агентства Кореи NSP NSP НОВОСТИ·ТВ. Все права защищены - перераспределение запрещено.